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[发明专利]厚度不受限制的NiGe单晶薄膜及其制备方法和应用-CN201810746122.3有效
发明人：邓云生;何东升;邱杨;顾瑞;何佳清 -专利权人：南方科技大学
申请日： 2018-07-09 - 公布日： 2021-03-02 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体材料技术领域，具体提供一种NiGe单晶薄膜及其制备方法和应用。所述制备方法包括以下步骤：提供洁净的Ge(001)基底；将Ge(001)基底置于真空中加热处理，获得预用基底；在真空下对预用基底进行Ni的反应蒸镀处理，使Ge(001)表面形成一层层NiGe单晶膜；在室温下，在NiGe单晶膜表面蒸镀一层Ni膜；在惰性气氛下对Ge(001)基底进行退火处理，使Ni膜扩散过NiGe单晶膜，并以NiGe单晶膜为单晶种子层，和Ge(001)基底发生固相反应，获得厚度不受限制的NiGe本方法可获得肖特基势垒低、接触电阻小且热稳定性良好的NiGe单晶薄膜，适用于MOSFET领域。
厚度不受限制 nige 薄膜及其制备方法应用

[发明专利]一种NiGe/n-Ge肖特基二极管的制备方法-CN202210185094.9在审
发明人：张波;丁华俊;薛忠营;魏星 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2022-02-28 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明涉及一种NiGe/n‑Ge肖特基二极管的制备方法。该方法可以有效缓解费米能级钉扎效应，降低NiGe/n‑Ge肖特基势垒高度，并且使得NiGe在400℃到600℃保持热稳定性。
一种 nige ge 肖特基二极管制备方法

[发明专利]含咪唑啉结构三元共聚物驱油剂及其制备-CN201510122449.X有效
发明人：苟绍华;张勤;罗珊;何杨;马永涛;赵鹏 -专利权人：西南石油大学
申请日： 2015-03-19 - 公布日： 2015-06-17 - 主分类号： C08F220/56 文献下载
摘要：该共聚物由丙烯酰胺(AM)、丙烯酸(AA)、油酸咪唑啉衍生物(NIGE)三种单体合成，原料投料比为AM:AA:NIGE＝6.5:3.5:0.015；提供三元共聚物AM/AA/NIGE驱油剂的制备方法，引入咪唑啉环状结构
咪唑结构三元共聚物驱油剂及其制备

[发明专利]一种使用NiTi合金外延生长NiGe材料的方法-CN201410605211.8有效
发明人：平云霞;侯春雷 -专利权人：上海工程技术大学
申请日： 2014-10-30 - 公布日： 2015-03-04 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种使用NiTi合金外延生长NiGe材料的方法，所述方法是首先在锗衬底表面沉积Ni_1-xTi_x合金层，其中的0.1≤x≤0.6；然后进行快速退火处理：以30～50℃/秒的升温速率升温至300～500℃，保温20～120秒后，在115～200秒时间内冷却至室温；采用化学腐蚀法选择性去除最外层：NiTiGe混合合金层，即得到位于锗衬底表面的外延NiGe本发明方法具有工艺简单，易于工业化实施优点，所生成的NiGe材料连续、均一、平整，可满足作为晶体管器件接触材料的应用要求，并有利于提高晶体管器件的电性能。
一种使用 niti 合金外延生长 nige 材料方法

[发明专利]NiGe单晶薄膜及其制备方法和应用-CN201810745171.5在审
发明人：邓云生;何东升;邱杨;顾瑞;程鑫 -专利权人：南方科技大学
申请日： 2018-07-09 - 公布日： 2019-07-26 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体材料与器件技术领域，具体提供一种NiGe单晶薄膜及其制备方法和应用。在真空环境下，对所述预用基底进行Ni膜的蒸镀处理，使Ge(110)表面镀覆有Ni膜；在惰性气氛下，对前述得到的镀覆有Ni膜的Ge(110)基底进行退火处理，使所述Ni膜和所述Ge(110)基底发生固相反应，获得NiGe本发明的方法可以获得肖特基势垒低、接触电阻小且热稳定性良好的NiGe单晶薄膜，特别适用于MOSFET器件领域。
基底单晶薄膜制备方法和应用真空环境半导体材料器件技术领域肖特基势垒表面镀覆固相反应接触电阻热稳定性退火处理镀覆蒸镀制备加热冷却洁净

[发明专利]横向p-i-n结构Ge光电探测器的制备方法-CN201410183675.4有效
发明人：黄巍;魏江镔;陈松岩;李成 -专利权人：厦门大学
申请日： 2014-05-04 - 公布日： 2014-07-16 - 主分类号： H01L31/105 文献下载
摘要：利用微电子光刻技术在外延单晶锗层上刻蚀出细长条的有源区台面；3)利用单晶锗层上面的SiO₂覆盖层做掩蔽，通过侧向大偏角离子注入在台面两侧形成掺杂p区与掺杂n区；4)沉积金属Ni层后热退火，利用NiGe、NiSi形成时的自对准工艺在台面两侧及刻蚀区底部形成NiGe和NiSi接触电极；5)引出器件电极，保护钝化层，即得横向p-i-n结构Ge光电探测器。
横向结构 ge 光电探测器制备方法

[发明专利]保持MnNiGe基材料的强磁共结构相变的方法及应用-CN201410527728.X在审
发明人：武荣荣;胡凤霞;刘瑶;王晶;章明;赵莹莹;沈斐然;孙继荣;沈保根 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2014-10-09 - 公布日： 2016-05-11 - 主分类号： C22C30/00 文献下载
摘要：本发明提供一种保持MnNiGe基材料的强磁共结构相变的方法及应用，所述方法包括去除粒径小于100μm的颗粒，所述MnNiGe基材料为Mn_1-xFe_xNiGe或本发明的优势在于：具有Ni₂In型六角结构的Mn_1-xFe_xNiGe和MnNi_1-yFe_yGe
保持 mnnige 基材强磁共结构相变方法应用

[发明专利]金属互连结构的制造方法-CN202110196847.1在审
发明人：康乐乐;张驰 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2021-02-22 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属互连结构的制造方法，包括：步骤一、提供形成有定义金属互连结构的图形结构的凹槽的前层结构；步骤二、形成作为扩散阻挡层的钌层；步骤三、形成主体层，主体层的材料为钴、石墨烯、Cu3Ge、NiGe
金属互连结构制造方法

[发明专利]一种利用食用菌出菇废料生产乙醇的方法-CN201410244430.8在审
发明人：黄伟 -专利权人：保山富群农业科技有限公司
申请日： 2014-06-04 - 公布日： 2014-08-13 - 主分类号： C12P7/08 文献下载
摘要：:Fr.)Kummer)接种到发酵原料中并酶解发酵获得发酵产物1；所述生物糖化步骤包括将黑曲霉(Aspergillus nige)菌接种到发酵产物1中并糖化发酵获得发酵产物2；所述乙醇发酵步骤包括将酵母菌
一种利用食用菌废料生产乙醇方法

[发明专利]一种具有巨磁热的可逆压磁效应材料及其制备方法和应用-CN201811479048.X有效
发明人：梁飞翔;沈斐然;胡凤霞;王晶;孙继荣;沈保根 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2018-12-05 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： C22C30/00 文献下载
摘要：本发明提供一种可逆压磁效应材料及其制备方法和应用，所述材料的化学式为Mn1‑xFexNiGe
一种具有巨磁热可逆磁效应材料及其制备方法应用

[发明专利]一种观察MnNiGe基合金马氏体变体的方法-CN201610895861.X有效
发明人：马胜灿;张林;刘凯;钟震晨;钟明龙;江庆政 -专利权人：江西理工大学
申请日： 2016-10-14 - 公布日： 2019-10-08 - 主分类号： G01N1/28 文献下载
摘要：MnNiGe基合金马氏体变体的方法，其具体步骤为：(一)制样：根据成分配比为MnNi_1‑xFe_xGe或Mn_1‑xFe_xNiGe
一种观察 mnnige 合金马氏体变体方法

[发明专利]一种具有负热膨胀性质的合金材料及其制备方法-CN201710583329.9有效
发明人：孙莹;赵文君;王聪;卢会清;王蕾;史可文 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2017-07-18 - 公布日： 2019-08-23 - 主分类号： C22C30/02 文献下载
摘要：可以作为膨胀抑制剂材料使用，该类合金材料在一定温度区间内具有负热膨胀性质，其化学通式为MnNi_1‑xFe_xGe/Cu或者Mn_1‑yFe_yNiGe
负热膨胀膨胀抑制剂工程构件合金材料使用寿命制备热膨胀负热膨胀材料固体金属合金热膨胀性质材料使用化学通式实际工程温度区间调和升高膨胀应用

[发明专利]通过电弧熔炼和铜模喷铸制备磁热材料Mn-Ni-Ge:Fe基系列合金棒材的方法-CN201510628568.2在审
发明人：马胜灿;张林;钟震晨;黄有林;刘凯 -专利权人：南昌航空大学
申请日： 2015-09-29 - 公布日： 2015-12-16 - 主分类号： C22C1/02 文献下载
摘要：,成分配比采用MnNi_1-xFe_xGe和Mn_1-xFe_xNiGe
通过电弧熔炼铜模制备材料 mn ni ge fe 系列合金方法

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